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IA hace 2 h

SK Hynix aumenta producción de memoria DRAM y NAND Flash

SK Hynix aumenta producción de memoria DRAM y NAND Flash

La empresa SK Hynix invertirá 54 billones de wones en la construcción de dos fábricas para aumentar la producción de memoria DRAM y NAND Flash. Esta decisión se toma en un momento en que la demanda de memoria por parte de la industria de IA es cada vez mayor, lo que ha generado una escasez y un aumento en los precios.

Entre los detalles de la inversión se encuentran: * 35 billones de wones para la fábrica Y2 en Yongin * 19 billones de wones para la fábrica M17 en Cheongju * La fábrica Y2 tendrá 1,13 millones de metros cuadrados y se enfocará en producir HBM y DRAM de próxima generación * La fábrica M17 tendrá 680.000 metros cuadrados y se encargará de aumentar la producción de NAND Flash * La construcción de la fábrica Y2 comenzará en julio de 2027 y finalizará en junio de 2029 * La construcción de la fábrica M17 comenzará en febrero de 2027 y finalizará en diciembre de 2028

SK Hynix es una empresa coreana que se dedica a la producción de semiconductores y memoria, y su decisión de invertir en la construcción de estas dos fábricas se debe a la creciente demanda de memoria por parte de la industria de IA. La empresa espera que la demanda de DRAM y NAND Flash aumente un 19% anual hasta 2030, y planea invertir un total de 600 billones de wones en Yongin y 100 billones en Cheongju a largo plazo para ampliar la producción.

La escasez de memoria y el aumento en los precios han afectado a various sectores, incluyendo la producción de consolas, móviles y tablets. La inversión de SK Hynix en la construcción de estas dos fábricas puede ayudar a aliviar esta escasez y reducir los precios. La empresa espera que la construcción de las fábricas comience en 2027 y finalice en 2029, lo que permitirá aumentar la producción de memoria y satisfacer la creciente demanda de la industria de IA.

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