CXMT, fabricante de memoria DRAM, experimenta crecimiento récord en China
CXMT, un fabricante de memoria DRAM con sede en China, ha experimentado un crecimiento récord en el mercado. Sus ingresos relacionados con la memoria DRAM aumentaron un 716% en el segundo trimestre de 2026 en comparación con el mismo período del año anterior.
La principal fuente de crecimiento de CXMT es la memoria DRAM convencional destinada a ordenadores, servidores, smartphones y productos electrónicos chinos. La compañía ha absorbido una parte de la demanda que anteriormente cubrían Samsung, SK hynix y Micron, que han decidido centrarse en la producción de memoria HBM para aceleradores de IA. Esto ha permitido a CXMT beneficiarse de las políticas de autosuficiencia tecnológica de Pekín y de las restricciones que afectan a determinadas compras de memoria extranjera por parte de empresas estatales chinas.
“CXMT facturó aproximadamente 7.500 millones de dólares durante el primer trimestre de 2026, un 719% más que en el año anterior”
CXMT facturó aproximadamente 7.500 millones de dólares durante el primer trimestre de 2026, un 719% más que en el año anterior. La compañía también ha firmado acuerdos de suministro valorados en más de 7.000 millones de dólares con ByteDance y más de 3.000 millones con Tencent. Además, CXMT ha completado una salida a bolsa con la que recaudó unos 8.600 millones de dólares, que se utilizarán para financiar una agresiva expansión industrial.
Aunque CXMT ha experimentado un crecimiento significativo, todavía está lejos de los tres grandes fabricantes de memoria DRAM, Samsung, SK hynix y Micron, que controlan conjuntamente cerca del 90% de los ingresos mundiales de DRAM. Además, el crecimiento de CXMT se debe principalmente a memorias convencionales, y no a la memoria HBM de última generación, que es donde se encuentra la mayor parte del mercado. Sin embargo, CXMT ya fabrica memoria HBM y está desarrollando las nuevas generaciones de memoria DDR6 y LPDDR6, lo que podría permitirle competir con los líderes del mercado en el futuro.