Samsung dispara velocidad UFS 5.0 a 10,8 GB/s

Samsung ha desarrollado su nuevo almacenamiento UFS 5.0, que ofrece una velocidad de lectura secuencial de 10,8 GB/s y escritura secuencial de 9,5 GB/s. Esta tecnología está diseñada para los próximos móviles con Inteligencia Artificial integrada.

El nuevo chip de Samsung utiliza la interfaz UFS 5.0 y se apoya en la V-NAND de 9ª generación, lo que permite ofrecer un ancho de banda de 10,8 GB/s manteniendo una eficiencia energética adaptada a dispositivos móviles. La compañía ha incorporado tecnologías como Clock Gating y Multi Voltage para reducir el consumo y el calor.

“La compañía también habla de menor latencia en el procesamiento de datos y de respuestas más rápidas en servicios de IA on-device”

La velocidad y eficiencia de UFS 5.0 están preparadas para guardar y procesar grandes volúmenes de datos con más rapidez, algo necesario cuando las funciones de Inteligencia Artificial generan, leen y mueven información dentro del propio teléfono. La compañía también habla de menor latencia en el procesamiento de datos y de respuestas más rápidas en servicios de IA on-device.

El paquete de UFS 5.0 ha sido reducido hasta 7,5 mm de ancho, 13 mm de largo y 0,9 mm de alto, lo que supone un formato un 16,7% más pequeño que el anterior. La capacidad máxima prevista será de hasta 1 TB. Samsung tiene previsto iniciar la producción en masa durante el 4º trimestre de este 2026 y planea ampliar el suministro de UFS 5.0 hacia smartphones flagship, headsets XR y wearables con IA. "En la era de la Inteligencia Artificial on-device, el almacenamiento está pasando de ser un simple espacio para guardar datos a convertirse en un elemento clave que determina la experiencia de IA", según Choi Jang-seok, responsable de planificación de producto de la división de memoria de Samsung Electronics.